米兰





漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最大漏极电流Id(on)(A)：

15

通（tōng）道（dào）极（jí）性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述：

600V,280mΩ,15A,N沟道（dào）基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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