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漏源（yuán）电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导（dǎo）通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

5

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

700V,1100mΩ,5A,N沟（gōu）道基于（yú）超级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET


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