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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

100

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

125

最大漏极电流Id(on)(A)：

30

通道（dào）极性（xìng）：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述（shù）：

600V,125mΩ,30A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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